企业简介
天津晶岭电子材料科技有限公司 main business:生产、销售微电子、光电子相关材料。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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天津晶岭电子材料科技有限公司的工商信息
- 120000400080200
- 注销
- 有限责任公司(中外合资)
- 2005-05-17
- 仲跻和
- 2050万人民币
- 2005-05-17 至 永久
- 天津市滨海新区市场和质量监督管理局
- 天津开发区微电子工业区中晓园2-B号
- 生产、销售微电子、光电子相关材料。
天津晶岭电子材料科技有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 8143955 |  |
晶岭 | 2010-03-23 | 半导体器件 | 查看详情 |
| 2 | 8143991 |  |
海和 | 2010-03-23 | 抛光制剂 | 查看详情 |
| 3 | 8143947 |  |
晶岭 | 2010-03-23 | 抛光制剂 | 查看详情 |
| 4 | 8143936 |  |
海和 | 2010-03-23 | 生物化学催化剂；科学用化学制剂(非医用和兽医用)；化学试剂(非医用或兽医用)；非医用或非兽医用化学试剂；非医用或非兽医用的实验室分析用化学制剂；实验室分析用化学物质(非医用或兽医用) | 查看详情 |
| 5 | 5615440 |  |
晶岭;JL | 2006-09-19 | 工业用洗净剂；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；胶溶剂；工业用化学品；清除抛光剂用料；化学试剂(非医用或兽医用)；多功能非离子界面活性剂；抛光液 | 查看详情 |
| 6 | 8143964 |  |
海和 | 2010-03-23 | 晶片(锗片)；半导体；半导体器件 | 查看详情 |
天津晶岭电子材料科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN102390838A | 一种非球形硅溶胶的制备方法 | 2012.03.28 | 本发明提供了一种非球形硅溶胶的制备方法，包括以下步骤：（1）制备粒径20～50nm的非球形硅溶胶晶种 |
| 2 | CN101311315A | 金属铜材料清洗剂 | 2008.11.26 | 本发明提供一种金属铜材料清洗剂，其包括磷酸盐、表面活性剂、pH值调节剂以及去离子水；各种组分所占的重 |
| 3 | CN101310926A | 硅片研磨表面粗糙度控制方法 | 2008.11.26 | 本发明提供一种硅片研磨表面粗糙度控制方法，包括在研磨机研磨盘其间设置的承载载具上放置硅片，向研磨盘和 |
| 4 | CN101310925A | 硅片研磨表面应力消减方法 | 2008.11.26 | 本发明提供一种硅片研磨表面应力消减方法，包括将待研磨硅片夹持到研磨机的研磨盘上，向研磨盘和硅片间加注 |
| 5 | CN101311316A | 金属铝材料清洗剂 | 2008.11.26 | 本发明提供一种金属铝材料清洗剂，其包括硅酸盐、磷酸盐、表面活性剂、pH值调节剂以及去离子水；各种组分 |
| 6 | CN101310951A | 硅片切削崩边控制方法 | 2008.11.26 | 本发明提供一种硅片切削崩边控制方法，包括将滚磨后的硅棒粘贴在切割机上，调整控制硅棒的自转速度、切割机 |
| 7 | CN101311256A | 印刷电路板清洗剂 | 2008.11.26 | 本发明提供一种印刷电路板清洗剂，其包括增溶剂、表面活性剂、消泡剂和纯水；其中，增溶剂的重量百分比为3 |
| 8 | CN101121913A | 一种LCD水基清洗液 | 2008.02.13 | 一种LCD水基清洗液，其特征在于它是由有机碱、环氧乙烷和高级脂肪醇的缩合物(缩写为JFC)、表面活性 |
| 9 | CN101096573A | 一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法 | 2008.01.02 | 一种用于二氧化硅介质的抛光液，其特征在于它是由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、氧化剂和去离子水混合组 |
| 10 | CN101096572A | 一种钨抛光液及其制备方法 | 2008.01.02 | 一种用于金属钨的抛光液，其特征在于它是由磨料、氧化剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水混合组成，其中磨 |
| 11 | CN101096577A | 一种防冻型抛光液及其制备方法 | 2008.01.02 | 一种防冻型抛光液，其特征在于它是由SiO<SUB>2</SUB>溶胶、有机碱、表面活性剂、防冻剂和水 |
| 12 | CN101096596A | 一种硅片腐蚀液 | 2008.01.02 | 一种硅片腐蚀液，它是由无机碱、有机碱、非离子表面活性剂和纯水混合组成，其中无机碱的重量占20％～30 |
| 13 | CN101096617A | 一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液及其清洗方法 | 2008.01.02 | 一种半导体材料表面颗粒去除的清洗液及其清洗方法，它是由有机碱、非离子表面活性剂和纯水混合组成，其中有 |
| 14 | CN101096619A | 一种陶瓷清洗液 | 2008.01.02 | 一种陶瓷清洗液，它是由溶剂型醚类、有机碱、第一种表面活性剂、第二种表面活性剂和去离子水五种成分组成， |
| 15 | CN101096574A | 陶瓷研磨液 | 2008.01.02 | 一种陶瓷研磨液，其特征在于它是由磨料、渗透剂、润滑剂、pH值调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水组成 |
| 16 | CN101096575A | 一种用于硬盘基片的抛光液及其制备方法 | 2008.01.02 | 一种用于硬盘基片的抛光液，由磨料、氧化剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分 |
| 17 | CN101096618A | 二极管清洗液 | 2008.01.02 | 一种二极管清洗剂，其特征在于按重量百分比由下述组分组成：磷酸盐10-25％，无机碱5-10％，非离子 |
| 18 | CN101096571A | 一种用于玻璃材料的抛光液及其制备方法 | 2008.01.02 | 一种用于玻璃材料的抛光液，由磨料、表面活性剂、pH值调节剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为 |
| 19 | CN101096576A | 一种除藻型抛光液 | 2008.01.02 | 一种除藻型抛光液，其特征在于它是由SiO<SUB>2</SUB>溶胶、pH值调节剂、表面活性剂、杀菌 |
| 20 | CN101096292A | 一种玻璃腐蚀液及其制备方法 | 2008.01.02 | 一种玻璃腐蚀液，其特征在于它是由磷酸盐、焦磷酸盐、无机碱、表面活性剂和水混合组成，其重量百分比为：磷 |
| 21 | CN101092542A | 一种用于砷化镓晶片的精抛液 | 2007.12.26 | 一种用于砷化镓晶片的精抛液，由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，其特征在于：采用 |
| 22 | CN101092551A | 一种用于半导体材料滚圆加工的滚磨液 | 2007.12.26 | 一种用于半导体材料滚圆加工的滚磨液，其特征在于：由磨料、pH值调节剂、表面活性剂、螯合剂和去离子水组 |
| 23 | CN101092540A | 一种金属抛光液及其制备方法 | 2007.12.26 | 一种金属抛光液，由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为： |
| 24 | CN101092584A | 一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液 | 2007.12.26 | 一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液，由渗透剂、润滑剂、表面活性剂和去离子水组成，各种成分所占的 |
| 25 | CN101092552A | 一种用于硅晶片的研磨液 | 2007.12.26 | 一种用于硅晶片的研磨液，其特征在于：由磨料、pH值调节剂、表面活性剂、渗透剂、润滑剂、螯合剂和去离子 |
| 26 | CN101092591A | 光学玻璃清洗剂 | 2007.12.26 | 一种光学玻璃清洗剂，由表面活性剂、螯合剂、有机碱、渗透剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百分比为： |
| 27 | CN101092541A | 一种用于硅晶片的精抛液 | 2007.12.26 | 一种用于硅晶片的精抛液，由复合磨料、表面活性剂、螯合剂、pH值调节剂和去离子水组成，各种成分所占的重 |
| 28 | CN101093363A | 一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液 | 2007.12.26 | 一种用于去除集成电路光刻胶的清洗液，由复合型螯合剂、双氧水和去离子水组成；各种成分所占重量百分比为： |
| 29 | CN101081966A | 一种用于砷化镓晶片的抛光液及其制备方法 | 2007.12.05 | 一种用于砷化镓晶片的抛光液，由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重 |
| 30 | CN101082013A | 一种表面活性剂组合物 | 2007.12.05 | 一种表面活性剂组合物，它包括表面活性剂和水，其特征在于表面活性剂为5～20％、纯水为80～95％，表 |
| 31 | CN101081965A | 一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法 | 2007.12.05 | 一种用于锗晶片的抛光液，由磨料、表面活性剂、pH值调节剂、螯合剂和去离子水组成，各种成分所占的重量百 |
| 32 | CN1944613A | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法 | 2007.04.11 | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂及 |
| 33 | CN1944559A | 一种碱性硅晶片抛光液 | 2007.04.11 | 一种碱性硅晶片抛光液，它的pH值范围为8～13，粒径为15nm～150nm，它是由磨料、pH调节剂、 |
| 34 | CN1940044A | 一种表面活性剂组合物 | 2007.04.04 | 本发明涉及活性剂，尤其涉及一种表面活性剂组合物，主要用于半导体材料，如：硅片、锗片、砷化镓等材料表面 |
| 35 | CN1876786A | 一种去除半导体材料表面蜡和有机物的清洗液及其清洗方法 | 2006.12.13 | 一种去除半导体材料表面蜡和有机物的清洗液，其特征在于它是由非离子表面活性剂、有机碱和纯水混合组成，其 |
| 36 | CN1872930A | 硅片研磨液 | 2006.12.06 | 本发明涉及一种研磨液，特别是一种硅片研磨液。由磨料、pH值调节剂、渗透剂、润滑剂、表面活性剂、螯合剂 |
| 37 | CN1872972A | 一种LCD水基清洗液 | 2006.12.06 | 本发明涉及一种水基清洗液，特别是一种LCD(液晶显示器)水基清洗液。其组分及其重量百分比为15～65 |
| 38 | CN1872973A | 一种ITO玻璃镀膜前的半水基清洗液 | 2006.12.06 | 本发明涉及玻璃清洗液，特别是一种ITO玻璃镀膜前的半水基清洗液。其组分及其重量百分比为20－25的磷 |
| 39 | CN1872974A | 金属零件清洗剂及其制备方法 | 2006.12.06 | 金属零件清洗剂，特别是一种应用于精密零件的清洗液，其特征在于它由金属腐蚀剂磷酸盐作为成分I和焦磷酸盐 |
| 40 | CN1858172A | 一种液晶显示器的清洗剂及其清洗方法 | 2006.11.08 | 一种液晶显示器的清洗剂及其清洗方法，其特征在于它是由能够起到溶解液晶显示器表面及夹缝中残留液晶作用的 |
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